收藏本站
MRFE6VP6300HR3 MRFE6VP6300HSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
VDD
=50Vdc,IDQ
= 100 mA
f
MHz
Zsource
?
Zload
?
10
36.0 + j128
12.0 + j8.80
25
20.0 + j64.0
12.4 + j6.40
50
16.0 + j41.6
11.6 + j14.4
100
8.00 + j24.8
9.00 + j9.80
200
3.00 + j12.8
7.20 + j6.40
300
1.52 + j7.92
6.00 + j5.00
400
1.08 + j5.04
4.20 + j4.00
500
1.04 + j3.16
3.32 + j2.72
600
0.88 + j1.76
2.72 + j1.68
1. Simulated performance at 1 dB gain compression.
Zsource
= Source impedance presented from gate to gate.
Zload
= Load impedance presented from drain to drain.
Load
Source
Figure 16. Simulated Source and Load Impedances Optimized for IRL,
Output Power and Drain Efficiency ? Push--Pull
Zsource
Zload
Device
Under
Test
--
-- +
+
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
MRFE6VP8600HSR6 RF FET LDMOS 50V NI1230S
MRFG35002N6AT1 TRANS RF 1.5W 6V PWR FET PLD-1.5
MRFG35002N6T1 TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5
MRFG35003ANR5 TRANSISTOR RF 3W 12V PLD-1.5
MRFG35003ANT1 TRANSISTOR RF 3W 12V PLD-1.5
MRFG35003M6T1 MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD
MRFG35003MT1 MOSFET RF 3.5GHZ 3W 12V 1.5-PLD
MRFG35003N6AT1 TRANSISTOR RF 3W 6V PLD-1.5
相关代理商/技术参数
MRFE6VP6300HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 300W50VISM NI780S-4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6VP8600H 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power LDMOS Transistors High Ruggedness N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs
MRFE6VP8600HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 600W NI1230H 50V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6VP8600HR6 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 600W NI1230H 50V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6VP8600HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 600W NI1230S 50V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6VP8600HSR6 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6 600W NI1230S 50V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6VS25GNR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6E 25W50V TO270-2G RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6VS25LR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6E 25W50V NI360L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray